Эта публикация цитируется в 1 статье

Фоточувствительность кремниевых аморфно-кристаллических гетероструктур с инверсионным каналом

А. М. Данишевский^abc, И. М. Котина^abc, О. И. Коньков^abc, Е. И. Теруков^abc, Л. М. Тухконен<sup>abc

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
^c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Аннотация: Представлены результаты исследования влияния удельного сопротивления кристаллического кремния (1.5–40 k$\Omega$ $\cdot$ cm) и толщины аморфной пленки (200–2000 $\mathring{\mathrm{A}}$) на фотоэлектрические свойства гетероструктур $a$-Si : H/$c$-Si, созданных на основе высокоомного кремния $p$-типа. На исследуемых гетероструктурах наблюдался инверсионный приповерхностный изгиб зон в кристаллическом кремнии. Наличие проводящего канала обеспечило сбор неравновесных носителей при освещении областей, удаленных от электрода на расстояния, существенно превышающие их диффузионную длину. Гетероструктуры обладали высокой фоточувствительностью, в том числе и в УФ-области спектра. Спектральные характеристики таких структур в видимой и ближней ИК-области были аналогичны характеристикам кремниевых туннельных МДП-структур.

Поступила в редакцию: 05.12.2013

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2014, 40:5, 397–400

Реферативные базы данных:

•