В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, С. А. Кукушкин, А. В. Мясоедов, А. В. Осипов, С. Н. Родин, М. П. Щеглов, Н. А. Феоктистов, “Эпитаксия полуполярного GaN на подложке Si(001) с буферным слоем SiC”, Письма в ЖТФ, 2014, том 40, выпуск 9,страницы 48

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Эпитаксия полуполярного GaN на подложке Si(001) с буферным слоем SiC

В. Н. Бессолов^ab, Е. В. Коненкова^ab, С. А. Кукушкин^ab, А. В. Мясоедов^ab, А. В. Осипов^ab, С. Н. Родин^ab, М. П. Щеглов^ab, Н. А. Феоктистов^ab

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Предложен новый метод синтеза полуполярного нитрида галлия на кремниевой подложке с помощью технологии твердофазной эпитаксии нанокристаллов 3C-SiC. Показано, что применение буферных слоев 3C-SiC и AlN позволяет формировать эпитаксиальные слои полуполярного нитрида галлия с отклонением слоя от полярного положения оси c вюрцитного кристалла на угол 48–51$^\circ$ при минимальной полуширине рентгенодифракционной кривой качания $\omega_\theta\sim$ 24'. Наблюдавшийся изгиб цилиндрического характера в структуре GaN/AlN/3C-SiC/Si(001) объясняется анизотропной деформацией полуполярного GaN на кремнии.

Поступила в редакцию: 11.12.2013