Эта публикация цитируется в 2 статьях

Свойства гетероструктур InGaN/GaN, сформированных с помощью прерываний роста в различных условиях

В. В. Лундин, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, М. А. Яговкина, А. Ф. Цацульников

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Изучена конвертация приповерхностных областей InGaN в GaN во время прерываний роста. Установлено, что процесс насыщается во времени, развивается на глубину менее 2 nm и протекает сходным образом при наличии и отсутствии водорода в реакторе, однако водород его существенно ускоряет. У структур InGaN/GaN, выращенных с прерываниями роста, обнаружено возникновение дополнительной линии фотолюминесценции с большей длиной волны, чем у аналогичного сплошного слоя InGaN. Показано, что прерывание роста в безводородной атмосфере предпочтительнее для формирования светоизлучающих гетероструктур зеленого диапазона.

Поступила в редакцию: 29.10.2013

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2014, 40:5, 365–368

Реферативные базы данных:

•