RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2014, том 40, выпуск 8, страницы 80–87 (Mi pjtf8137)

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Субнаносекундное лавинное переключение высоковольтных кремниевых диодов с резкими и плавными $p$$n$-переходами

В. И. Брылевский, И. А. Смирнова, П. Б. Родин, И. В. Грехов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Задержанный лавинный пробой высоковольтных кремниевых диодов впервые исследован с помощью экспериментальной установки со специально сконструированным резистивным ответвителем, являющимся частью высококачественного согласованного измерительного тракта. Исследованы три типа структур с одинаковыми геометрическими параметрами и близкими напряжениями стационарного пробоя 1.1–1.3 kV: $p^+$$n$$n^+$-структуры с резким $p$$n$-переходом и два различных типа $p^+$$p$$n$$n^+$-cтруктур с плавным переходом. При переключении всех структур в нагрузке формировался перепад напряжения амплитудой более киловольта и скоростью нарастания $\sim$ 100 ps при напряжении пробоя около 2 kV. Однако переключение в состояние с низким ($\sim$ 150 V) остаточным напряжением обнаружено только для структур с резким переходом; для структур с плавным переходом напряжение уменьшалось только до величины $\sim$ 1 kV, близкой к напряжению стационарного пробоя.

Поступила в редакцию: 18.12.2013


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2014, 40:4, 356–360

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026