О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, А. И. Белов, А. П. Касаткин, А. Н. Михайлов, “Резистивное переключение в структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе оксида германия и стабилизированного диоксида циркония”, Письма в ЖТФ, 2014, том 40, выпуск 3,страницы 12

Эта публикация цитируется в 24 статьях

Резистивное переключение в структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе оксида германия и стабилизированного диоксида циркония

О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, А. И. Белов, А. П. Касаткин, А. Н. Михайлов

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Исследовано биполярное резистивное переключение в структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе двухслойного диэлектрика, состоящего из слоя стабилизированного оксидом иттрия диоксида циркония (YSZ – yttria-stabilized zirconia) c содержанием Y$_2$O$_3$ 12 mol.% и слоя GeO$_x$. Показано, что встраивание в структуру дополнительного слоя GeO$_x$ приводит к существенному уменьшению разброса параметров резистивного переключения как при отрицательном, так и при положительном напряжениях. Структуры Au/Zr/GeO$_x$/YSZ/TiN демонстрируют высокую стабильность отношения сопротивлений в высокоомном и низкоомном состояниях в процессе циклического переключения. Исследованные структуры могут быть использованы для создания элементов энергонезависимой памяти нового поколения.

Поступила в редакцию: 28.08.2013