Аннотация:
Впервые синтезированы наночастицы "ядро Bi$_2$Te$_3$"–"оболочка SiO$_2$". Такие наночастицы предназначены для создания объемных композитов с высокой термоэлектрической добротностью. Предполагается, что в объемных композитах на основе наночастиц Bi$_2$Te$_3$@SiO$_2$ можно обеспечить сочетание низкой решеточной теплопроводности за счет наличия диэлектрика SiO$_2$ и достаточно высокой электропроводности за счет туннелирования носителей заряда из одного полупроводникового зерна Bi$_2$Te$_3$@SiO$_2$ в соседнее полупроводниковое зерно через тонкий диэлектрический слой между зернами. Установлено, что удельное электрическое сопротивление композита возрастает с уменьшением температуры и в интервале 130–300 K температурная зависимость сопротивления может быть описана в рамках туннельной проводимости.
Полный текст:
PDF файл (732 kB)
