Эта публикация цитируется в 1 статье

Синтез светодиодной структуры на гранях $(11\bar20)$ и $(0001)$ мезаполосков, выращенных методом селективной эпитаксии

М. М. Рожавская, В. В. Лундин, А. В. Сахаров

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследовано влияние типа несущего газа на характер формирования слоев $p$-GaN на гранях (0001), $(11\bar20)$ и $(11\bar22)$ мезаполосковой структуры, сформированной с использованием метода селективной эпитаксии. На гранях $(0001)$ и $(11\bar20)$ мезаполосковой структуры прямоугольного сечения сформирована светодиодная структура с активной областью на основе квантовых ям InGaN/GaN. Созданы прототипы светодиодов на свободных полосках GaN, отделенных от подложки.

Поступила в редакцию: 26.08.2013

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2014, 40:1, 18–20

Реферативные базы данных:

•