Письма в ЖТФ,
2025, том 51, выпуск 17,страницы 22–24(Mi pjtf8006)
Оценка влияния параллельного границе гетероперехода импульса электронов на высоту дна первой подзоны в транзисторных сверхрешетках с тонкими высокими барьерами
Аннотация:
Для транзисторных гетероструктур на основе аналитического решения дисперсионного уравнения, описывающего разрешенные состояния в сверхрешетках с тонкими высокими барьерами, проведена оценка влияния параллельного границе гетероперехода импульса электронов на высоту дна размерной подзоны в таких сверхрешетках и соответственно оценена их эффективность при расположении по краям канала. Показано, что такие наборы барьеров препятствуют переходу из узкозонного канала транзистора в ограничивающий канал широкозонный материал (по крайне мере, до тех пор пока в самом канале не начнутся интенсивные переходы в верхние долины полупроводника).
Полный текст:
PDF файл (106 kB)