Эпитаксия AlN$(11\bar{2}2)$-слоев на GaN$(11\bar{2}2)$/$m$-Al$_2$О$_3$-темплейте методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии

В. Н. Бессолов^a, Е. В. Коненкова^a, А. В. Кремлева^b, Л. А. Сокура^ab, Ш. Ш. Шарофидинов^a, М. П. Щеглов<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Эпитаксиальные слои AlN$(11\bar{2}2)$ толщиной 3.9 $\mu$m были выращены на темплейте GaN$(11\bar{2}2)$/$m$-Al$_2$О$_3$ методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Темплейт состоял из GaN$(11\bar{2}2)$- и буферного AlN-слоев с толщинами 2.7 и 0.6 $\mu$m соответственно, выращенных на сапфировой подложке ориентации $(10\bar{1}0)$. Показано, что полуширина рентгеновской кривой качания для дифракционных пиков GaN$(11\bar{2}2)$/$m$-Al$_2$О$_3$ и AlN$(11\bar{2}2)$ составляет 30 и 20 arcmin соответственно. Обнаружено, что эпитаксия AlN$(11\bar{2}2)$ на темплейте приводит к увеличению размера кристаллических блоков в слое AlN$(11\bar{2}2)$. Сделано предположение, что улучшение качества слоя AlN$(11\bar{2}2)$ происходит из-за относительно невысокого различия решеток на гетерогранице AlN$(11\bar{2}2)$/GaN$(11\bar{2}2)$.

Ключевые слова: полуполярный AlN$(11\bar{2}2)$, хлорид-гидридная газофазная эпитаксия.

Поступила в редакцию: 07.04.2025
Исправленный вариант: 02.06.2025
Принята в печать: 05.06.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2025.16.60934.20336

Реферативные базы данных:

•