Наноразмерные пленки титаната бария-стронция для устройств микроэлектроники

В. М. Мухортов, С. В. Бирюков, Ю. И. Головко, С. И. Масычев

Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия

Аннотация: Исследованы температурная зависимость диэлектрической проницаемости и токи утечки наноразмерных тонких пленок титаната бария-стронция. Исследования проводились при подаче напряжения смещения, приложенного к зазору между штырями встречно-штыревого конденсатора на основе указанной пленки. Установлена высокая температурная стабильность наноразмерных тонких пленок титаната бария-стронция при подаче напряжения смещения. Показано, что токи утечки нелинейные и несимметричные относительно прикладываемого напряжения смещения, а их величина позволяет использовать исследованные пленки при реализации устройств микроэлектроники.

Ключевые слова: наноразмерные пленки, сегнетоэлектричество, планарный конденсатор, титанат бария-стронция.

Поступила в редакцию: 08.04.2025
Исправленный вариант: 18.05.2025
Принята в печать: 19.05.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2025.16.60926.20338

Реферативные базы данных:

•