Аналитические модели барьерной емкости $p$–$n$-перехода в высоковольтных мезаэпитаксиальных полупроводниковых структурах

А. И. Сурайкин, Н. Н. Беспалов, А. А. Сурайкин

Национальный исследовательский Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева, г. Саранск

Аннотация: Приведены результаты исследования и расчета общей барьерной емкости высоковольтных, мезаэпитаксиальных диодов. Показано, как влияет периферийная мезаобласть на величину общей барьерной емкости $p$–$n$-перехода в мезаэпитаксиальных диодных структурах. Предложена аналитическая модель общей барьерной емкости высоковольтных мезаэпитаксиальных диодных структур, учитывающая емкость периферийной мезаобласти. Получены самосогласованные аналитические соотношения для барьерной емкости мезаобласти в двух вариантах: с постоянным углом наклона мезафаски, с переменным углом наклона мезафаски.

Ключевые слова: мезаэпитаксиальный диод, мезаобласть, мезафаска, барьерная емкость, вольт-фарадная характеристика.

Поступила в редакцию: 20.03.2025
Исправленный вариант: 18.04.2025
Принята в печать: 30.04.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2025.15.60803.20320

Реферативные базы данных:

•