Аннотация:
Исследован процесс химического газофазного осаждения тонких пленок оксида алюминия с использованием изопропилата алюминия в качестве прекурсора. Определены параметры осаждения, обеспечивающие высокую скорость роста покрытия (до $\sim$ 0.94 $\mu$m/min). Установлено, что полученные покрытия имеют аморфную структуру, а их последующий отжиг при 1200$^\circ$C приводит к кристаллизации с формированием фаз $\alpha$-Al$_2$O$_3$, $\kappa$-Al$_2$O$_3$ и $\gamma$-Al$_2$O$_3$. Показано, что использование изопропилата алюминия позволяет получать покрытия высокой чистоты при относительно низких температурах осаждения.
Полный текст:
PDF файл (474 kB)