Спектроскопия ван-дер-ваальсовых структур на основе дихалькогенида переходного металла WS$_2$

Д. Д. Белова^ab, Т. Э. Зедоми^a, Л. В. Котова^ab, В. П. Кочерешко<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Балтийский государственный технический университет "Военмех" им. Д. Ф. Устинова, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы спектры низкотемпературной фотолюминесценции и отражения света от тонких слоев (вплоть до монослоев) WS$_2$ на подложках из окисленного кремния. В спектрах отражения наблюдалась богатая интерференционная структура. Путем сравнения спектров отражения от подложки SiO$_2$/Si и от WS$_2$ по известному показателю преломления света определены толщины этих слоев. Установлено, что большая часть линий в спектрах отражения связана со слоем Si/SiO$_2$. В спектрах фотолюминесценции и спектрах отражения от WS$_2$ наблюдалась серия линий, которые ранее приписывались основному и возбужденным состояниям экситона. Установлено, что эти линии связаны с интерференцией света вблизи экситонного резонанса в WS$_2$ на энергии 2.15 eV.

Ключевые слова: спектроскопия, дихалькогениды переходных металлов, экситоны.

Поступила в редакцию: 13.12.2024
Исправленный вариант: 03.04.2025
Принята в печать: 08.04.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2025.13.60704.20224