Мемристорный эффект в композитной пленке PZT:TiO$_x$

Л. А. Делимова^a, Е. В. Гущина^a, В. С. Юферев^a, Д. С. Серегин^b, К. А. Воротилов^b, А. С. Сигов<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b МИРЭА — Российский технологический университет, Москва, Россия

Аннотация: Исследованы электрические свойства нового типа конденсаторных структур с композитной пленкой Pt/PZT:TiO$_x$/Pt, в которых трехмерная наноразмерная структура пор в сегнетоэлектрической пленке цирконата-титаната свинца заполнена диоксидом титана. Методами электрических измерений на постоянном и переменном токе и измерением локального тока методом контактной атомно-силовой микроскопии обнаружен мемристорный эффект, открывающий возможности исследования подобных структур для использования в перспективных устройствах резистивной памяти.

Ключевые слова: сегнетоэлектрическая композитная пленка, диоксид титана, переключаемые резистивные состояния.

Поступила в редакцию: 27.01.2025
Исправленный вариант: 23.03.2025
Принята в печать: 24.03.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2025.12.60612.20268

Реферативные базы данных:

•