Аналитическое описание температурного коэффициента показателя преломления III–V полупроводников с использованием теории нормальной дисперсии

И. И. Врубель^a, Е. Д. Черотченко^a, Д. А. Михайлов^a, Р. Г. Полозков^b, В. В. Дюделев^a, Г. С. Соколовский<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: На базе теории нормальной дисперсии получена энергетическая зависимость температурного коэффициента показателя преломления в окне прозрачности типовых соединений семейства III–V. Дополнительно показано, что основные результаты применимы также для соединений других классов: мономолекулярных соединений IV группы, а также полупроводников-халькогенидов на базе цинка. Показано, что рост показателя преломления материалов вызван одновременным уменьшением вероятности межзонных переходов и ширины запрещенной зоны этих полупроводников при нагреве. Рассмотрена фундаментальная связь полученных результатов с формулой Варшни. Обсуждается применимость полученных результатов для прикладной задачи dual-comb-спектрометрии.

Ключевые слова: показатель преломления, квантовый каскадный лазер, dual-comb-спектрометрия.

Поступила в редакцию: 11.12.2024
Исправленный вариант: 17.03.2025
Принята в печать: 19.03.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2025.12.60607.20222

Реферативные базы данных:

•