Определение оптимального среза фоторефрактивного кристалла InP при встречном четырехволновом взаимодействии

В. Н. Навныко

Мозырский государственный педагогический университет им. И. П. Шамякина, Мозырь, Беларусь

Аннотация: Проанализирована зависимость коэффициента отражения при встречном четырехволновом взаимодействии в кристалле InP от ориентации плоскости его среза в кристаллографической системе координат. Найдены индексы среза кристалла, при выборе которого интенсивность обращенной световой волны в оптимальных условиях достигает абсолютного максимума. Выполнено сравнение эффективности дифракции при обращении волнового фронта на комбинированных решетках в кристалле InP различных срезов.

Ключевые слова: четырехволновое взаимодействие, обращение волнового фронта, фоторефрактивный кристалл, комбинированная решетка, коэффициент отражения.

Поступила в редакцию: 17.02.2025
Исправленный вариант: 17.02.2025
Принята в печать: 05.03.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2025.11.60486.20286

Реферативные базы данных:

•