Структурный и фазовый анализ поверхностей Ge(111)$c$(2 $\times$ 8), Si(100)(2 $\times$ 1) и BaO/Si(100) с помощью гистограмм высот в сканирующей туннельной микроскопии

М. В. Кузьмин, Д. А. Мальков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Показано, что с помощью количественного анализа распределения высот рельефа в сканирующей туннельной микроскопии можно получать данные не только о шероховатости, но и об атомном строении, морфологической структуре и фазовом составе исследуемых образцов. Приведены результаты такого анализа для хорошо известных модельных поверхностей Ge(111)$c$(2 $\times$ 8) и Si(100)(2 $\times$ 1), а также пленочной системы BaO/Si(100) при различных температурах.

Ключевые слова: сканирующая туннельная микроскопия, морфология поверхности, гистограмма высот, атомная структура, фазовый состав.

Поступила в редакцию: 03.02.2025
Исправленный вариант: 03.02.2025
Принята в печать: 02.03.2025

DOI: 10.61011/PJTF.2025.11.60484.20272

Реферативные базы данных:

•