А. А. Лебедев, С. Ю. Давыдов, Л. М. Сорокин, Л. В. Шахов, “Получение квазисверхрешеток на границе эпитаксиального слоя 3C-SiC и подложек гексагональных политипов SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме”, Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 23,страницы 89

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Получение квазисверхрешеток на границе эпитаксиального слоя 3C-SiC и подложек гексагональных политипов SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме

А. А. Лебедев^ab, С. Ю. Давыдов^ab, Л. М. Сорокин^a, Л. В. Шахов^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Методом просвечивающей электронной микроскопии исследована структура переходного слоя между гексагональной подложкой (6H-SiC и 4H-SiC) и кубическим слоем карбида кремния, выращенным сублимационной эпитаксией в вакууме. Показано, что переходный слой толщиной $\sim$ 200 nm состоит из чередующихся слоев кубического (3C) и гексагонального (6H) карбида кремния, что установлено микродифракционным анализом. Продемонстрирована возможность получения такой технологией квазисверхрешеток 6H-SiC/3C-SiC и 4H-SiC/3C-SiC.

Поступила в редакцию: 30.07.2015