Аннотация:
Исследована фотолюминесценция, возникающая в $p$-4H-SiC после облучения электронами. Предложена модель, объясняющая зависимость интенсивности фотолюминесценции от дозы облучения. Сделан вывод, что активатором фотолюминесценции являются донорно-акцепторные пары азот-радиационный дефект.