RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 23, страницы 61–67 (Mi pjtf7907)

О связи радиационно-стимулированной фотолюминесценции с атомами азота в $p$-4H-SiC

А. А. Лебедевa, Б. Я. Берa, Е. В. Богдановаa, Н. В. Середоваa, Д. Ю. Казанцевa, В. В. Козловскийb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет

Аннотация: Исследована фотолюминесценция, возникающая в $p$-4H-SiC после облучения электронами. Предложена модель, объясняющая зависимость интенсивности фотолюминесценции от дозы облучения. Сделан вывод, что активатором фотолюминесценции являются донорно-акцепторные пары азот-радиационный дефект.

Поступила в редакцию: 19.05.2015


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:12, 1143–1145

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026