Модель селективного роста III–V нитевидных нанокристаллов

В. Г. Дубровский<sup>abc

a</sup> Санкт-Петербургский Академический университет
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Предложена кинетическая модель роста нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III–V, включая нитридные, в отсутствие металлического катализатора, что соответствует методам селективной эпитаксии или самоиндуцированного роста. Получено стационарное решение для скорости удлинения нитевидного нанокристалла, показывающее, что рост может лимитироваться не только кинетикой элемента группы III с учетом поверхностной диффузии (как это считалось ранее), но и потоком элемента группы V. Разные режимы характеризуются принципиально различными зависимостями скорости удлинения от радиуса нитевидного нанокристалла. В условиях, обогащенных по мышьяку, наблюдается типичная зависимость с максимумом и убыванием при больших радиусах, лимитированным диффузией адатомов галлия. В условиях, обогащенных по галлию, происходит переход к фактически не зависящей от радиуса скорости роста, линейно возрастающей с увеличением потока мышьяка.

Поступила в редакцию: 09.07.2015

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:12, 1136–1138

Реферативные базы данных:

•