Эта публикация цитируется в 6 статьях

Моделирование характеристик двухпереходных солнечных элементов на основе гетероструктур ZnSiP$_2$ на кремниевой подложке

Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. М. Можаров, А. Д. Большаков, И. С. Мухин, Ж. И. Алфёров

Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет РАН

Аннотация: Проведен расчет конструкции и режимов работы двухпереходных монолитных решеточно-согласованных солнечных элементов (СЭ) на основе системы материалов ZnSiP$_2$/Si. Определено влияние толщины фотоактивной области и времени жизни неосновных носителей заряда в слоях ZnSiP$_2$ на эффективность преобразования энергии падающего солнечного излучения в электрическую с помощью предлагаемых гетероструктур. Показано, что СЭ на основе гетероструктур ZnSiP$_2$/Si могут достигать КПД 28.8% при AM1.5D 100 mW/cm$^2$ и 33.3% при AM1.5D 200 W/cm$^2$.

Поступила в редакцию: 30.06.2015

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:12, 1120–1123

Реферативные базы данных:

•