Аннотация:
На туннельном микроскопе в режиме полевой эмиссии на выбираемых локально микрозернах поверхности антимонида индия исследованы спектры плотности и параметры уровней электронных состояний. Методом соответствия вольт-амперных характеристик и формулы для вероятности эмиссии через уровни найдены значения энергии их активации $(\psi)$ и времени жизни $(\tau)$ электронов на них. Идентифицированы несколько уровней электронной локализации в приповерхностной зоне микрозерна $i$-InSb с параметрами: $\psi\sim$ 0.73, 1.33, 1.85, 2.15, 5.1 eV; $\tau\sim$ 5 $\cdot$ 10$^{-8}$–3 $\cdot$ 10$^{-7}$ s. Предложена физическая модель – локализация “легких” электронов за счет кулоновского взаимодействия и их размерное квантование в приповерхностной зоне, определяемое эффективной массой, энергией, концентрацией электронов, радиусом кривизны поверхности микрозерна.
Полный текст:
PDF файл (139 kB)
