Эта публикация цитируется в 6 статьях

Проявление размерного квантования на выступах шероховатой поверхности полупроводников A$^3$B$^5$

А. И. Михайлов, В. Ф. Кабанов, Н. Д. Жуков

Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского

Аннотация: Проведено экспериментальное исследование автоэлектронной эмиссии из субмикронных выступов шероховатой поверхности образцов полупроводников группы A$^3$B$^5$: InSb, InAs, GaAs. Показано, что для полупроводниковых образцов InSb и InAs наблюдаемые пики на дифференциальных туннельных ВАХ могут быть интерпретированы как проявление размерного квантования энергетического спектра электронов проводимости. Для GaAs проявления размерного квантования на дифференциальных туннельных ВАХ в условиях эксперимента выявлено не было. По результатам анализа экспериментальных данных проведена оценка характерного размера квантового объекта, сформированного на выступах шероховатой поверхности InSb и InAs.

Поступила в редакцию: 17.06.2015

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:11, 1065–1067

Реферативные базы данных:

•