Эта публикация цитируется в 8 статьях

Синтез тонких пленок $a$-SiO$_x$:H методом газоструйного химического осаждения с активацией электронно-пучковой плазмой

Е. А. Баранов^a, А. О. Замчий^ab, С. Я. Хмель<sup>a

a</sup> Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук
^b Новосибирский государственный университет

Аннотация: Впервые синтезированы тонкие пленки $a$-SiO$_x$:H методом газоструйного химического осаждения с активацией электронно-пучковой плазмой. Скорость роста уменьшалась с 2 до 1.15 nm/s при увеличении температуры подложки от комнатной до 415$^\circ$C, при этом концентрация водорода уменьшилась с 12.5 до 4.2%, а концентрация кислорода увеличилась с 14.5 до 20.8%. Уменьшение концентрации водорода связано с увеличением эффузии и температурной десорбции. Спектры комбинационного рассеяния света полученных пленок показали типичную аморфную структуру для связей Si–Si.

Поступила в редакцию: 21.05.2015

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:10, 1013–1015

Реферативные базы данных:

•