В. А. Терехов, Е. В. Паринова, Э. П. Домашевская, А. С. Садчиков, Е. И. Теруков, Ю. К. Ундалов, Б. В. Сеньковский, С. Ю. Турищев, “Особенности электронного строения и фазового состава аморфных пленок композитов (SiO$_2$)$_x$($a$-Si:H)$_{x-1}$ по данным рентгеноспектральных исследований”, Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 20,страницы 82

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Особенности электронного строения и фазового состава аморфных пленок композитов (SiO$_2$)$_x$($a$-Si:H)$_{x-1}$ по данным рентгеноспектральных исследований

В. А. Терехов^a, Е. В. Паринова^a, Э. П. Домашевская^a, А. С. Садчиков^a, Е. И. Теруков^b, Ю. К. Ундалов^b, Б. В. Сеньковский^c, С. Ю. Турищев^a

^a Воронежский государственный университет
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский государственный университет

Аннотация: Аморфные пленки композитов (SiO$_2$)$_x$($a$-Si:H)$_{x-1}$ были получены с применением плазмы на постоянном токе путем изменения времени включения и выключения ее разряда. Электронное строение и фазовый состав приповерхностных слоев пленок были изучены с применением метода ультрамягкой рентгеновской спектроскопии и спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения с использованием синхротронного излучения. Качественный и полуколичественный анализ фазового состава, проведенный при помощи специальной методики компьютерного моделирования, показал, что содержание кластеров $a$-Si:H в пленке SiO$_2$ с помощью изменения времени включения плазмы на постоянном токе можно регулировать в широких пределах. Замечено, что появление большого количества нанокластеров кремния в пленке (SiO$_2$)$_x$($a$-Si:H)$_{x-1}$ приводит к аномальному поведению спектров поглощения в результате взаимодействия синхротронного излучения с нанокластерами, размеры которых сопоставимы с длиной волны в области этого края.

Поступила в редакцию: 02.06.2015