RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 20, страницы 58–65 (Mi pjtf7866)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Фаза Берри и уровни Ландау в эпитаксиальном графене в скрещенных магнитном и электрическом полях

З. З. Алисултановabc

a Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
c Дагестанский государственный университет, г. Махачкала

Аннотация: В рамках простой аналитической модели исследованы фаза Берри и уровни Ландау в эпитаксиальном графене в скрещенных магнитном и электрическом полях. Показано, что фаза Берри электронов эпитаксиального графена вблизи точки Дирака равна $\pi$. Этот результат подтверждается несколькими экспериментальными данными. Уровни Ландау в эпитаксиальном графене могут перестраиваться с помощью продольного электрического поля.

Поступила в редакцию: 27.05.2015


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:10, 998–1001

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026