Е. Королева, А. Набережнов, V. Nizhankovskii, П. Ванина, А. Сысоева, “Влияние магнитного поля на сегнетоэлектрический фазовый переход в KH$_2$PO$_4$, внедренном в магнитное пористое стекло”, Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 20,страницы 24

Эта публикация цитируется в 1 статье

Влияние магнитного поля на сегнетоэлектрический фазовый переход в KH$_2$PO$_4$, внедренном в магнитное пористое стекло

Е. Королева^ab, А. Набережнов^ab, V. Nizhankovskii^c, П. Ванина^b, А. Сысоева^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
^c International Laboratory of High Magnetic Fields and Low Temperatures, Gajowicka 95, 53-421 Wroclaw, Poland

Аннотация: Исследовано влияние внешнего магнитного поля на сегнетоэлектрический фазовый переход в наночастицах KH$_2$PO$_4$, полученных при введении в макропористое магнитное стекло со средним диаметром пор 50 nm. Показано, что в магнитном поле 10 T температура сегнетоэлектрического перехода повышается примерно на 6 K.

Поступила в редакцию: 14.05.2015