Монокристаллические слои GaN/AlN на CVD-алмазе

О. И. Хрыкин^a, Ю. Н. Дроздов^a, М. Н. Дроздов^a, П. А. Юнин^ab, В. И. Шашкин^a, С. А. Богданов^c, А. Б. Мучников^c, А. Л. Вихарев^c, Д. Б. Радищев<sup>c

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^c Институт прикладной физики РАН, Нижний Новгород

Аннотация: Предложен и экспериментально реализован оригинальный подход по созданию структуры GaN/AlN/нанокристаллический алмаз. Этапы создания такой структуры включают в себя: $a$ – выращивание нанокристаллического CVD-алмаза на монокристаллическом AlN (предварительно выращенном на кремниевой подложке), $b$ – стравливание кремниевой подложки и $c$ – выращивание монокристаллического GaN на поверхности монокристаллического AlN. На подложке из нанокристаллического алмаза получен монокристаллический нитрид галлия с шириной рентгенодифракционной кривой качания отражения (0002) 0.35$^\circ$.

Поступила в редакцию: 05.05.2015

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:10, 954–956

Реферативные базы данных:

•