Эта публикация цитируется в 4 статьях

Самоформирующиеся латеральные гетероструктуры на основе графена с возможностью модуляции тока на 4–5 порядков

И. В. Антонова^ab, И. А. Котин^a, Н. А. Небогатикова^a, В. Я. Принц<sup>a

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный университет

Аннотация: Реализован технологически простой подход к формированию латеральных гетероструктур на основе графена с тонкими потенциальными барьерами. Тонкие потенциальные барьеры возникали на границах доменов исходного графена на начальной стадии его химической модификации. Для формирования барьеров были использованы фторирование и гидрирование графена, а также взаимодействие графена с интеркалированными органическими молекулами. Каналы транзисторов из таких гетероструктур демонстрировали эффективное управление током (4–5 порядков) при изменении напряжения на затворе. Данный подход открывает новые возможности для создания приборных структур электроники и оптоэлектроники.

Поступила в редакцию: 30.04.2015

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:10, 950–953

Реферативные базы данных:

•