RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 19, страницы 55–63 (Mi pjtf7851)

Моделирование процесса отклонения релятивистских электронов изогнутым кристаллом кремния

В. П. Кощеевa, Ю. Н. Штановb, Д. А. Моргунc, Т. А. Панинаc

a Филиал «Стрела» МАИ, г. Жуковский, Московская область
b Сургутский институт нефти и газа (филиал), Тюменский государственный нефтегазовый университет
c Сургутский государственный университет, Сургут

Аннотация: Моделирование процесса отклонения электронов с энергией 855 MeV и 6.3 GeV в плоскостных (111) каналах изогнутого кристалла кремния выполнено с помощью компьютерной программы TROPICS с атомным коэффициентом диффузии. Атомный коэффициент диффузии каналированных частиц построен в Дойль–Тернеровском приближении потенциала изолированного атома. Показано, что атомный коэффициент диффузии стремится к минимальному значению в области максимальной ядерной плотности атомной цепочки там, где коэффициент диффузии Китагавы–Оцуки достигает своего наибольшего значения.

Поступила в редакцию: 05.05.2015


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:10, 946–949

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026