Аннотация:
Представлено исследование методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии энергетического распределения заполненных состояний валентной зоны и определение положения ее потолка в пленках $a$-Al$_2$O$_3$ и $\gamma$-Al$_2$O$_3$, синтезированных методом молекулярного наслаивания (МН) на кремниевой подложке. Установлен сдвиг потолка валентной зоны $\gamma$-Al$_2$O$_3$ на 0.8 eV в сторону больших энергий связи по отношению к аморфному Al$_2$O$_3$.