Эта публикация цитируется в 2 статьях

Туннельные диоды GaAs:Si/GaAs:Be для многопереходных солнечных элементов, выращиваемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Г. В. Климко, Т. А. Комиссарова, С. В. Сорокин, Е. В. Контрош, Н. М. Лебедева, А. А. Усикова, Н. Д. Ильинская, В. С. Калиновский, С. В. Иванов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты оптимизации конструкции и технологии роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур туннельных диодов (ТД) N-AlGaAs : Si/n$^+$-GaAs : Si/p$^+$-GaAs : Be/P-AlGaAs:Be. Достигнутый уровень пикового тока $J_p$ = 513 A/cm$^2$ позволяет использовать полученный ТД для соединения каскадов как в структурах многопереходных солнечных элементов, так и в структурах туннельно-связанных лазерных диодов. Наблюдающаяся нелинейность начального хода ВАХ объясняется остаточным потенциальным барьером в изотипном $p^+$–$P$–$p^+$-гетеропереходе, ограничивающим активную область ТД, вследствие неоптимального легирования твердого раствора Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As.

Поступила в редакцию: 27.04.2014

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:9, 905–908

Реферативные базы данных:

•