Эта публикация цитируется в 2 статьях

Картирование интенсивности излучения лазерного диода методом атомно-силовой микроскопии

П. А. Алексеев^a, М. С. Дунаевский^ab, С. О. Слипченко^a, А. А. Подоскин^a, И. С. Тарасов<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Исследовано распределение интенсивности излучения лазерного диода по оригинальной методике, основанной на атомно-силовой микроскопии. Показана возможность картирования интенсивности излучения в ближнем поле и переходной зоне мощного полупроводникового лазера в комнатных условиях с субволновым пространственным разрешением. Полученные картины распределения интенсивности согласуются с данными моделирования и результатами, полученными ближнепольной оптической микроскопией.

Поступила в редакцию: 26.03.2015

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:9, 870–873

Реферативные базы данных:

•