Полевая ионная микроскопия граничной области металлических интерфейсов

В. А. Ивченко<sup>ab

a</sup> Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
^b Институт электрофизики УрО РАН, г. Екатеринбург

Аннотация: На основании результатов, полученных методом полевой ионной микроскопии, проведен анализ атомного строения граничной области металлических интерфейсов после интенсивных внешних воздействий. В результате изучения атомного строения планарных дефектов в металлических материалах после радиационного и других видов внешних воздействий методами полевой ионной микроскопии, атомного зонда полевого ионного микроскопа и томографического атомного зонда установлена различная ширина их граничной области. Показано, что ширина граничной области металлических интерфейсов изменяется в зависимости от типа интенсивного внешнего воздействия и составляет 0.8–1.5 nm. Приведены экспериментальные данные об элементном составе межфазных интерфейсов (Cu$_{80}$Co$_{20}$) в металлически сплавленных компаундах и легированных сплавах (Cu$_3$Au (4 at.% Pt)).

Поступила в редакцию: 02.03.2015

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:8, 784–787

Реферативные базы данных:

•