Эта публикация цитируется в 1 статье

Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка

В. И. Олешко, С. Г. Горина

Национальный исследовательский Томский политехнический университет

Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований морфологии разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN, нанесенных на сапфировые подложки, после многоимпульсного облучения сильноточным электронным пучком. Обнаружено, что возбуждение образцов электронным пучком пороговой плотности со стороны гетероструктуры приводит к формированию микроразрушений, количество, размеры и форма которых изменяются в процессе облучения и определяются индивидуальными свойствами исследованных образцов. В гетероструктурах, имеющих стимулированную люминесценцию, в момент импульса возбуждения на фоне однородной катодолюминесценции регистрируются яркие микрозоны, пространственное расположение которых совпадает с расположением остаточных микроразрушений. Анализируются возможные механизмы электронно-пучкового разрушения светоизлучающих гетероструктур.

Поступила в редакцию: 12.03.2015

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:8, 750–752

Реферативные базы данных:

•