Аннотация:
Исследованы процессы разрушения поверхности монокристаллических пластин кремния при облучении сканирующим пучком импульсного иттербиевого волоконного лазера с длиной волны $\lambda$ = 1062 nm. Показано, что процесс абляции может происходить без плавления кремния с образованием факела плазмы. При определенных параметрах воздействия: мощности излучения, скорости сканирования, степени перекрытия – впервые наблюдалось выраженное окисление образующихся микрочастиц кремния с формированием из них характерного рыхлого слоя из мельчайшего порошка диоксида кремния. Установлен диапазон режимов излучения и сканирования пучка лазера, при которых наблюдается рост слоя SiO$_2$.