В. В. Путролайнен, А. А. Величко, П. П. Борисков, А. Л. Пергамент, Г. Б. Стефанович, Н. А. Кулдин, “Процесс электроформовки и биполярное резистивное переключение в двойной оксидной структуре Si–SiO$_2$–V$_2$O$_5$–Au”, Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 14,страницы 16

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Процесс электроформовки и биполярное резистивное переключение в двойной оксидной структуре Si–SiO$_2$–V$_2$O$_5$–Au

В. В. Путролайнен, А. А. Величко, П. П. Борисков, А. Л. Пергамент, Г. Б. Стефанович, Н. А. Кулдин

Петрозаводский государственный университет

Аннотация: Исследовано резистивное переключение с памятью двойной оксидной структуры Si–SiO$_2$–V$_2$O$_5$–Au, полученной методом реактивного магнетронного напыления. Предложена физическая модель, объясняющая формирование переключательной структуры с образованием наноразмерного кремниевого канала в SiO$_2$ и обратимой модуляцией проводимости тонкого оксидно-ванадиевого слоя вблизи границы канала. Проведена оценка радиуса кремниевого канала из результатов расчета на основе уравнения теплопроводности и АСМ-анализа.

Поступила в редакцию: 26.02.2015