Эта публикация цитируется в 16 статьях

Ионно-лучевая кристаллизация наноструктур InAs/GaAs(001)

С. Н. Чеботарев^a, А. С. Пащенко^a, A. Williamson^b, Л. С. Лунин^a, В. А. Ирха^c, Ю. В. Сидоров<sup>d

a</sup> Южный научный центр РАН, г. Ростов-на-Дону
^b Aix-Marseille Université
^c Специальное конструкторско-технологическое бюро "ИНВЕРСИЯ", Ростов-на-Дону, Россия
^d Technische Universität Ilmenau, Ilmenau, Germany

Аннотация: Предложен метод ионно-лучевой кристаллизации наноструктур InAs/ GaAs(001) с квантовыми точками. Уточнены коэффициенты распыления GaAs и InAs в диапазоне энергий $E_{\mathrm{Ar}+}$ = 200–300 eV и угле падения аргонового пучка $\theta$ = 30$^\circ$. Продемонстрирована возможность достижения скоростей роста до 0.1 ML/s для InAs, 0.05 ML/s для GaAs. Данные атомно-силовой и электронной микроскопии, фотолюминесценции, комбинационного рассеяния показывают, что повышение плотности тока пучка с 5 до 15 $\mu$A/cm$^2$ при энергии $E_{\mathrm{Ar}+}$ = 200 eV и температуре подложки $T$ = 480$^\circ$C приводит к увеличению латеральных размеров квантовых точек с 15 до 25 nm и поверхностной плотности с 2 $\cdot$ 10$^{10}$ до 9 $\cdot$ 10$^{10}$ cm$^{-2}$. Повышение плотности тока до 20 $\mu$A/cm$^2$ при той же энергии ионов сопровождается резким увеличением средних латеральных размеров квантовых точек до 70 nm и уменьшением плотности до 3 $\cdot$ 10$^{10}$ cm$^{-2}$.

Поступила в редакцию: 19.09.2014

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:7, 661–664

Реферативные базы данных:

•