В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge”, Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 13,страницы 72

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge

В. Я. Алешкин^ab, Н. В. Дикарева^c, А. А. Дубинов^ab, Б. Н. Звонков^c, К. Е. Кудрявцев^ab, С. М. Некоркин^c, А. В. Новиков^ab, П. А. Юнин^ab, Д. В. Юрасов^ab

^a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^c Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Экспериментально исследован волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs, выращенной на подложке Si с релаксированным буферным слоем Ge. При достижении величины плотности мощности возбуждения 35 kW/cm$^2$ при температуре жидкого азота наблюдалось несколько линий стимулированного излучения в диапазоне энергий 1350–1360 meV.

Поступила в редакцию: 17.11.2014