Эта публикация цитируется в 13 статьях

Особенности автоэлектронной эмиссии из субмикронных выступов шероховатой поверхности антимонида индия

А. И. Михайлов, В. Ф. Кабанов, Н. Д. Жуков

Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского

Аннотация: Проведено исследование механизмов автоэлектронной эмиссии из субмикронных выступов шероховатой поверхности образцов полупроводника InSb. Показано, что механизм тока автоэлектронной эмиссии удовлетворительно описывается теорией Моргулиса–Стрэттона. Интерпретация полученных зависимостей дала возможность считать, что наблюдался эффект низкополевой автоэлектронной эмиссии. Анализ экспериментально полученных туннельных спектров позволил идентифицировать пики зависимости коэффициента нелинейности ВАХ как проявление особенностей энергетического спектра квантово-размерного объекта.

Поступила в редакцию: 30.12.2014

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:6, 568–570

Реферативные базы данных:

•