Эта публикация цитируется в 4 статьях

Влияние режима осаждения в СВЧ-плазме на полевую эмиссию электронов из наноалмазографитовых композитов

Н. А. Бушуев^a, П. Д. Шалаев^a, А. Р. Яфаров^a, Р. К. Яфаров<sup>b

a</sup> Государственное научно-производственное предприятие "Алмаз", г. Саратов
^b Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Экспериментально установлено и обосновано с использованием кластерной модели структуры аморфного углерода влияние режима осаждения алмазографитовых пленочных структур в неравновесной СВЧ-плазме паров этанола низкого давления на их автоэмиссионные характеристики. Показано, что выбором режима осаждения, обеспечивающего снижение содержания связанного водорода в углеродных структурах, возможно уменьшение порога электрического поля автоэлектронной эмиссии в 4–6 раз по сравнению с пленками $a$-C : H, полученными другими способами.

Поступила в редакцию: 08.12.2014

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:5, 489–492

Реферативные базы данных:

•