Эта публикация цитируется в 1 статье

Влияние поверхностно-активных веществ на эпитаксиальный рост нитрида галлия, выращенного из газовой фазы в системе Ga–HCl–NH$_3$–H$_2$–Ar

Ю. В. Жиляев, В. В. Зеленин, Т. А. Орлова, В. Н. Пантелеев, Н. К. Полетаев, С. Н. Родин, С. А. Сныткина

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Объектом исследования являются эпитаксиальные слои нитрида галлия, входящие в состав темплейта, выращиваемые из газовой фазы методом хлоридно-гидридной эпитаксии с использованием поверхностно-активных веществ. В качестве поверхностно-активных веществ использовались 5 mass% добавки сурьмы и индия к источнику галлия. Сравнительный анализ полученных результатов показал положительное влияние поверхностно-активных веществ на морфологию эпитаксиальных слоев.

Поступила в редакцию: 17.07.2014

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:10, 476–478

Реферативные базы данных:

•