Р. В. Григорьев, И. В. Штром, Н. Р. Григорьева, Б. В. Новиков, И. П. Сошников, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Фотоэлектрические свойства массива аксиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 9,страницы 71

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Фотоэлектрические свойства массива аксиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs

Р. В. Григорьев^a, И. В. Штром^abc, Н. Р. Григорьева^a, Б. В. Новиков^a, И. П. Сошников^bcde, Ю. Б. Самсоненко^bdc, А. И. Хребтов^b, А. Д. Буравлев^adc, Г. Э. Цырлин^adcf

^a Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета
^b Санкт-Петербургский Академический университет РАН
^c Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
^d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^e Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
^f Санкт-Петербургский государственный политехнический университет

Аннотация: Представлены исследования фотоэлектрических свойств массива GaAs/Al$_x$Ga$_{1-x}$As ($x\approx$ 0.3) аксиальных нитевидных нанокристаллов $n$-типа, выращенных с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии на $p$-типа кремниевой подложке. Выявлена возможность эффективного разделения зарядов в широком спектральном диапазоне (от 450 до 1100 nm), что актуально для создания активного элемента в фотоприемных устройствах и солнечных батареях.

Поступила в редакцию: 04.11.2014