Аннотация:
Впервые представлены результаты исследования электрическими методиками “эффекта дальнодействия” в кристаллах 6H–SiC при облучении тяжелыми ионами Xe с энергией 167 МeV флюенсами 4 $\cdot$ 10$^9$ – 7 $\cdot$ 10$^{11}$ cm$^{-2}$. Исследовались структуры с барьерами Шоттки, сформированными на C-грани кристаллов. Облучение структур проводилось в одинаковых режимах со стороны барьеров и со стороны базы (грань Si). Впервые для SiC электрическими методиками был выявлен эффект глубокого проникновения радиационных дефектов на глубину, превышающую в несколько десятков раз пробег ионов Xe. Было выявлено, что в начале пробега ионов Xe образуются радиационные дефекты акцепторного типа, однако в конце пробега ионов Xe образуются радиационные дефекты донорного типа.
