С. Ю. Турищев, В. А. Терехов, Д. Н. Нестеров, К. Г. Колтыгина, В. А. Сиваков, Э. П. Домашевская, “Особенности атомного и электронного строения нитевидного кремния, сформированного на подложках с различным удельным сопротивлением по данным ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии”, Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 7,страницы 81

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Особенности атомного и электронного строения нитевидного кремния, сформированного на подложках с различным удельным сопротивлением по данным ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии

С. Ю. Турищев^a, В. А. Терехов^a, Д. Н. Нестеров^a, К. Г. Колтыгина^a, В. А. Сиваков^b, Э. П. Домашевская^a

^a Воронежский государственный университет
^b Leibniz Institute of Photonic Technology, Jena, Germany

Аннотация: Массивы нитевидного кремния были получены методом жидкофазного металл-ассистированного химического травления с использованием подложек кристаллического кремния. Сформированные массивы и отдельные нити изучались методами растровой и просвечивающей электронной микроскопии. Электронное строение и фазовый состав поверхности и приповерхностных слоев сформированных массивов были изучены методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии. Показано, что морфологически более развитый образец, сформированный на подложке с низким удельным сопротивлением, значительно сильнее подвержен окислению с заметным образованием фаз промежуточных оксидов кремния. Массив нитей, сформированных на подложке с высоким удельным сопротивлением, также подвержен естественному окислению, но в существенно меньшей степени, а с увеличением глубины анализа содержит в основном фазу кристаллического кремния, составляющего объем сформированных нитей.

Поступила в редакцию: 17.10.2014