RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 7, страницы 1–7 (Mi pjtf7671)

Эта публикация цитируется в 14 статьях

Аномальная динамика остаточного напряжения на арсенид-галлиевом диоде при субнаносекундном лавинном переключении

В. И. Брылевский, А. В. Рожков, И. А. Смирнова, П. Б. Родин, И. В. Грехов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Экспериментально обнаружено качественное отличие высоковольтных арсенид-галлиевых диодов от аналогичных кремниевых приборов при сверхбыстром переключении в режиме задержанного лавинного пробоя. Показано, что арсенид-галлиевый диод после переключения остается в высокопроводящем состоянии на всем протяжении приложенного импульса напряжения, восстановление обратного напряжения на $p$$n$-переходе вследствие рассасывания неравновесной электронно-дырочной плазмы не происходит. За это же время (в нашем эксперименте 2 ns) кремниевый диод полностью переходит в блокирующее состояние. Величина остаточного напряжения для арсенид-галлиевого диода на порядок меньше, чем для кремниевого прибора. Обнаруженный эффект сходен с известным эффектом “залипания” в проводящем состоянии арсенид-галлиевых диодных ключей, переключаемых лазерным импульсом.

Поступила в редакцию: 13.11.2014


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:4, 307–309

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026