Аннотация:
Экспериментально обнаружено качественное отличие высоковольтных арсенид-галлиевых диодов от аналогичных кремниевых приборов при сверхбыстром переключении в режиме задержанного лавинного пробоя. Показано, что арсенид-галлиевый диод после переключения остается в высокопроводящем состоянии на всем протяжении приложенного импульса напряжения, восстановление обратного напряжения на $p$–$n$-переходе вследствие рассасывания неравновесной электронно-дырочной плазмы не происходит. За это же время (в нашем эксперименте 2 ns) кремниевый диод полностью переходит в блокирующее состояние. Величина остаточного напряжения для арсенид-галлиевого диода на порядок меньше, чем для кремниевого прибора. Обнаруженный эффект сходен с известным эффектом “залипания” в проводящем состоянии арсенид-галлиевых диодных ключей, переключаемых лазерным импульсом.