Излучательные характеристики лазерных диодов на основе соединений А3В5, выращенных на германиевой подложке

В. Я. Алёшкин^ab, Н. В. Дикарева^c, А. А. Дубинов^ab, Б. Н. Звонков^c, З. Ф. Красильник^ab, С. М. Некоркин<sup>c

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^c Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Проведены сравнительные исследования электрофизических и излучательных свойств лазеров на основе GaAs и In$_{0.01}$Ga$_{0.99}$As с квантовыми ямами, выращенных на подложке Ge. Показано, что лазеры на основе In$_{0.01}$Ga$_{0.99}$As более совершенны и обладают характеристиками, сравнимыми с лазерами, выращенными на подложке GaAs.

 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:3, 304–306

Реферативные базы данных:

•