Ю. Н. Бузынин, А. В. Водопьянов, С. В. Голубев, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, А. Ю. Лукьянов, Д. А. Мансфельд, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, П. А. Юнин, “Рост с высокими скоростями пленок InN на подложках фианита и сапфира методом металлоорганической газофазной эпитаксии с плазменной активацией азота”, Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 6,страницы 17

Эта публикация цитируется в 1 статье

Рост с высокими скоростями пленок InN на подложках фианита и сапфира методом металлоорганической газофазной эпитаксии с плазменной активацией азота

Ю. Н. Бузынин^ab, А. В. Водопьянов^c, С. В. Голубев^c, М. Н. Дроздов^ab, Ю. Н. Дроздов^ab, А. Ю. Лукьянов^a, Д. А. Мансфельд^c, О. И. Хрыкин^a, В. И. Шашкин^ab, П. А. Юнин^ab

^a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^c Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Методом металлоорганической газофазной эпитаксии с активацией азота в плазме, поддерживаемой излучением гиротрона, получены монокристаллические пленки InN гексагональной модификации на подложках сапфира, фианита и темплейтах GaN/Al$_2$O$_3$ (0001). Достигнута рекордная скорость роста пленок 10 $\mu$m $\cdot$ h$^{-1}$. Показано, что применение подложек фианита по сравнению с подложками сапфира и темплейтами позволяет существенно улучшить структурное совершенство и фотолюминесцентные свойства пленок InN. Нелегированные пленки InN обладают $n$-типом проводимости с концентрацией электронов $n$ = (8.0 $\cdot$ 10$^{19}$ – 4.9 $\cdot$ 10$^{20}$) cm$^{-3}$ при значениях их подвижности до 180 cm$^2$/(V $\cdot$ s).

Поступила в редакцию: 26.09.2014