RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 6, страницы 10–16 (Mi pjtf7658)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Подавление процесса делокализации носителей заряда в мощных импульсных полупроводниковых лазерах

Д. А. Веселовa, И. С. Шашкинa, Н. А. Пихтинab, С. О. Слипченкоa, З. Н. Соколоваa, И. С. Тарасовa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный университет

Аннотация: Исследован процесс делокализации носителей заряда в мощных полупроводниковых лазерах в импульсном режиме генерации при высоких уровнях токовой накачки. Установлено, что процесс делокализации носителей заряда в полупроводниковых лазерах определяется в основном выбросом в волновод электронов, а не дырок. Экспериментально продемонстрировано два способа подавления процесса делокализации носителей заряда при увеличении ширины запрещенной зоны волновода и использовании волновода, содержащего потенциальный энергетический барьер для электронов в $p$-области.

Поступила в редакцию: 30.09.2014


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:3, 263–265

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026