С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, “Равновесное состояние в трехэлементной системе Si–O–C при росте SiC методом химического замещения атомов”, Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 6,страницы 1

Эта публикация цитируется в 1 статье

Равновесное состояние в трехэлементной системе Si–O–C при росте SiC методом химического замещения атомов

С. А. Кукушкин^abc, А. В. Осипов^abc

^a Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский Академический университет
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: С позиций термодинамики химических реакций рассчитано равновесное состояние в системе из трех элементов: кремния Si, углерода С и кислорода О. Показано, что в актуальной области температур 1000$^\circ$C $<T<$ 1400$^\circ$C система, которая в начальный момент времени состоит из кристаллического Si и газа CO, стремится к равновесному состоянию из смеси четырех твердых фаз Si, C, SiC, SiO$_2$ и равновесного пара над ними, состоящего в основном из SiO, CO, Si, CO$_2$. Рассчитаны равновесные парциальные давления всех газов. Предложен оптимальный режим роста пленок SiC из Si методом замещения атомов, при котором растет только одна фаза SiC, а SiO$_2$ и С не образуются.